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un amplificateur de puissance MMIC en bande Q de démonstration sera fabriqué pour concrétiser les avantages de cette plateforme par rapport aux solutions concurrentes à des fréquences extrêmement élevées (EHF). En raison de la nouveauté de la technologie MOSFET au GaN sous-jacente

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un amplificateur de puissance MMIC en bande Q de démonstration sera fabriqué pour concrétiser les avantages de cette plateforme par rapport aux solutions concurrentes à des fréquences extrêmement élevées (EHF). En raison de la nouveauté de la technologie MOSFET au GaN sous-jacente × Unknown

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